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トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
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IRFD224
Active - MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
生産者:
Vishay
MFRパート #
IRFD224
カテゴリ:
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
データシート:
IRFD224
説明:
MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
IRFD224 仕様
商品属性
属性値
カテゴリ
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
生産者
Vishay
系列
-
包装
Tube
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
250 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
630mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
1.1Ohm @ 380mA, 10V
Id印加時のVgs(th)(最大)
4V @ 250μA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
14 nC @ 10 V
Vgs(最大)
?0V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
260 pF @ 25 V
FET機能
-
電力散逸(最大)
1W (Ta)
動作温度
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ
4-HVMDIP
パッケージ/ケース
4-DIP (0.300", 7.62mm)
IRFD224 在庫: 38960
履歴価格
Active
5.0 / 5.0
Margaux Renard
France
2023-05-22 02:12
この出品者にはいつも質の高い商品を提供してくれてとても満足しています
Andrea Gallo
Italy
2023-05-22 05:34
大丈夫です。ありがとうございます。
Anaëlle Simon
France
2023-05-23 23:55
迅速な配達と説明
Johanna von Stuhl
Germany
2023-05-23 05:40
完璧で迅速な処理、信頼できる販売者、星5つ星*****
Doutor Eduardo
Brazil
2023-05-22 18:26
まだ試していませんが、良いようです
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