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ホームページ  /  ディスクリート半導体製品  /  トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET  /  Infineon Technologies IRF1010EL

IRF1010EL

Active Icon Obsolete - MOSFET N-CH 60V 84A TO262
IRF1010EL
IRF1010EL
Infineon Technologies
MFRパート #
データシート:
説明:
MOSFET N-CH 60V 84A TO262
 
3D Model Icon

IRF1010EL 仕様

商品属性
属性値
系列
HEXFET
包装
Tube
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
60 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
84A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
12mOhm @ 50A, 10V
Id印加時のVgs(th)(最大)
4V @ 250μA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
130 nC @ 10 V
Vgs(最大)
?0V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
3210 pF @ 25 V
FET機能
-
電力散逸(最大)
200W (Tc)
動作温度
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ
TO-262
パッケージ/ケース
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

IRF1010EL 在庫: 43980

履歴価格
Obsolete
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Maria Eduarda Ferreira
Location Icon Brazil
5 stars
2021-04-17 07:13
非常に満足しており、良い売り手です。
Author Icon
Tânia Maria
Location Icon Brazil
5 stars
2021-07-09 20:10
まだオーディションを受けていないが、非常に速い
Author Icon
Léonie Caron
Location Icon France
5 stars
2021-08-02 07:24
パッケージのフェルトマーキングがあまり読み取れません(混乱する可能性があります)!それがなければ、適合してください!売り手さんありがとうございます!
Author Icon
Danuta Krawczyk
Location Icon Poland
5 stars
2021-08-12 12:06
IGBTトランジスタは、プラスt7-hの横のテスターのSAを検出しません、Eプラスの12Vのprzelaczanieのテシーで、さらにzarowkaはCの12Vを駆動し、指をプラスでトリガーし、zalanczaは-wylanczaでトリガーしました。非常に速いwysylka、速い配達、プロダクトよいjakosci、非常に私達
Author Icon
Charles Reed
Location Icon United States
5 stars
2021-12-31 23:06
良い製品と正しく動作します。

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