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IRF100B202

Active - MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB

生産者:

Infineon Technologies

MFRパート #

IRF100B202

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

データシート:

IRF100B202

説明:

MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB

IRF100B202 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

生産者

Infineon Technologies

系列

HEXFET, StrongIRFET

包装

Tube

製品ステータス

Active

FETタイプ

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

100 V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

97A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

10V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

8.6mOhm @ 58A, 10V

Id印加時のVgs（th）（最大）

4V @ 150μA

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

116 nC @ 10 V

Vgs（最大）

?0V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

4476 pF @ 50 V

FET機能

-

電力散逸（最大）

221W (Tc)

動作温度

-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Through Hole

サプライヤデバイスパッケージ

TO-220AB

パッケージ/ケース

TO-220-3

IRF100B202 在庫: 12750

履歴価格

$1.90000

5.0 / 5.0

Danuta Krawczyk

Poland

2021-08-12 12:06

IGBTトランジスタは、プラスt7-hの横のテスターのSAを検出しません、Eプラスの12Vのprzelaczanieのテシーで、さらにzarowkaはCの12Vを駆動し、指をプラスでトリガーし、zalanczaは-wylanczaでトリガーしました。非常に速いwysylka、速い配達、プロダクトよいjakosci、非常に私達

Charles Reed

United States

2021-12-31 23:06

良い製品と正しく動作します。

Quentin Giraud

France

2021-07-09 02:45

好評、まだテストされていません

Jukka Laakso

Finland

2021-12-03 00:22

10個注文します。ここで、3つのチップをテストし、2つはID 0x441で、STM32F407ではなくSTM32F412です。私はとてもがっかりしています。