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IRFBG30

Obsolete - MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB

生産者:

Vishay

MFRパート #

IRFBG30

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

データシート:

IRFBG30

説明:

MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB

IRFBG30 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

生産者

Vishay

系列

-

包装

Tube

製品ステータス

Obsolete

FETタイプ

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

1000 V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

3.1A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

10V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

5Ohm @ 1.9A, 10V

Id印加時のVgs（th）（最大）

4V @ 250μA

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

80 nC @ 10 V

Vgs（最大）

?0V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

980 pF @ 25 V

FET機能

-

電力散逸（最大）

125W (Tc)

動作温度

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Through Hole

サプライヤデバイスパッケージ

TO-220AB

パッケージ/ケース

TO-220-3

IRFBG30 在庫: 36900

履歴価格

Obsolete

5.0 / 5.0

Maria Morelli

Italy

2023-05-24 09:17

完璧、大丈夫。ありがとうございます

Gisele Martins Jr.

Brazil

2023-05-24 05:48

検査は受けたと言いました

Willa Johnson

United States

2023-05-24 08:20

非常に真剣な出品者で、発送も速いので、ぜひおすすめします。

Simon Carter

United States

2023-05-24 06:05

わかりました、完璧です、ありがとうございます

Senhor Natan

Brazil

2023-05-24 13:39

いつものように、部品はテストされており、完璧に動作しています!このサプライヤーのすべての構成要素は完璧に動作しています。ここにない時だけ別のものを買うんだ。

IRFBG30

IRFBG30 仕様

IRFBG30 在庫: 36900

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