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IRFBE30S

Obsolete - MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

IRFBE30S

Vishay

生産者:

MFRパート #

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

データシート:

説明:

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

IRFBE30S 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

生産者

系列

-

包装

Tube

製品ステータス

Obsolete

FETタイプ

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

800 V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

4.1A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

10V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

3Ohm @ 2.5A, 10V

Id印加時のVgs（th）（最大）

4V @ 250μA

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

78 nC @ 10 V

Vgs（最大）

?0V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

1300 pF @ 25 V

FET機能

-

電力散逸（最大）

125W (Tc)

動作温度

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Surface Mount

サプライヤデバイスパッケージ

D2PAK (TO-263)

パッケージ/ケース

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFBE30S 在庫: 49770

履歴価格

Obsolete

Certificates

5.0 / 5.0

Raffaella Esposito

Italy

2023-03-21 12:55

税関で立ち往生

Pietro Moretti

Italy

2023-03-20 14:42

説明に対応した商品と迅速な発送。真面目な売り手、お勧めします。

Sidonie Mercier

France

2023-03-22 01:07

準拠製品(まだテストされていません)。速くてきちんとした送信。お勧めする売り手。ありがとうございます。ありがとうございます。

Valère Poulain

France

2023-03-24 11:36

いつものように、私はこの売り手に満足していますありがとう

Ottavia Romano

Italy

2023-03-23 22:53

すべてがOKをお勧めします、素晴らしい製品

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