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IRF640LPBF
Obsolete - MOSFET N-CH 200V 18A TO262-3
生産者:
Vishay
MFRパート #
IRF640LPBF
カテゴリ:
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
データシート:
IRF640LPBF
説明:
MOSFET N-CH 200V 18A TO262-3
IRF640LPBF 仕様
商品属性
属性値
カテゴリ
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
生産者
Vishay
系列
-
包装
Tube
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
18A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
180mOhm @ 11A, 10V
Id印加時のVgs(th)(最大)
4V @ 250μA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
70 nC @ 10 V
Vgs(最大)
?0V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
1300 pF @ 25 V
FET機能
-
電力散逸(最大)
3.1W (Ta), 130W (Tc)
動作温度
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ
TO-262-3
パッケージ/ケース
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
IRF640LPBF 在庫: 46240
履歴価格
Obsolete
5.0 / 5.0
Cláudia Regina Neto
Brazil
2023-03-19 19:25
ブラジルの皆さん、これはLenovo S145と互換性があり、aon7408を持っていると非常に役立ちます
Henrique Lima Almeida
Brazil
2023-01-03 06:08
問題なく到着し、機能的な追跡。
Francesco De Luca
Italy
2023-03-18 12:46
説明されているようにすべてが大丈夫です
Johann Müller
Germany
2023-03-17 08:54
すべてが素晴らしく、非常に速い船積み、ありがとう
Eleonora Greco
Italy
2023-03-17 00:55
有効な構造強度の電子部品。電圧の精度はテストしていませんが、すべてが規則正しいと思います。売り手はすぐに発送しました。
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