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トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
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IRF123
Active - N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
生産者:
International Rectifier
MFRパート #
IRF123
カテゴリ:
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
データシート:
IRF123
説明:
N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
IRF123 仕様
商品属性
属性値
カテゴリ
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
生産者
International Rectifier
系列
-
包装
Bulk
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
60 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
7A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
400mOhm @ 4A, 10V
Id印加時のVgs(th)(最大)
4V @ 250μA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
15 nC @ 10 V
Vgs(最大)
?0V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
600 pF @ 25 V
FET機能
-
電力散逸(最大)
40W (Tc)
動作温度
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ
TO-3
パッケージ/ケース
TO-204AA, TO-3
IRF123 在庫: 12640
履歴価格
$0.63000
5.0 / 5.0
Giulio Conti
Italy
2023-03-30 13:19
説明通りのもので、とても良い販売者で、強くおすすめします。
Felix Hopp
Germany
2023-04-05 07:40
届いたデバイスはMXL7704-R3で、Raspberry Pi 3 B を正しく修理しました。
Jeroen de Boer
Netherlands
2023-04-04 05:08
きちんとした配達、良いサービス推奨
Edward Roberts
United States
2023-04-06 10:46
とても良い販売者で、商品も早いです。しっかり梱包していてありがとうございます。
Margot Leroy
France
2023-04-05 07:51
トップは説明の通りです
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