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IGN1214L500B

Active - GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

生産者:

Integra Technologies

MFRパート #

IGN1214L500B

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - RF FET、MOSFET

データシート:

IGN1214L500B

説明:

GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

IGN1214L500B 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - RF FET、MOSFET

生産者

Integra Technologies

系列

-

包装

Tray

製品ステータス

Active

技術

HEMT

構成

1.2GHz ~ 1.4GHz

周波数

15dB

ゲイン

50 V

電圧 - テスト

-

定格電流（A）

-

雑音指数

200 mA

電流 - テスト

650W

電源 - 出力

160 V

電圧 - 定格

-

取り付けタイプ

PL95A1

パッケージ/ケース

PL95A1

サプライヤデバイスパッケージ

-

IGN1214L500B 在庫: 10370

履歴価格

$1,018.30000

5.0 / 5.0

Charles Reed

United States

2021-12-31 23:06

良い製品と正しく動作します。

Quentin Giraud

France

2021-07-09 02:45

好評、まだテストされていません

Jukka Laakso

Finland

2021-12-03 00:22

10個注文します。ここで、3つのチップをテストし、2つはID 0x441で、STM32F407ではなくSTM32F412です。私はとてもがっかりしています。

Kęstutis Darius

Lithuania

2021-12-27 06:22

商品は大変満足しており、売り手様は大変有難うございました。

Justine Perrin

France

2021-06-10 07:32

89日でRecu、ストリップ、テストする

IGN1214L500B

IGN1214L500B 仕様

IGN1214L500B 在庫: 10370

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