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IGN1011L1200
Active - GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
生産者:
Integra Technologies
MFRパート #
IGN1011L1200
カテゴリ:
トランジスタ - FET、MOSFET - RF FET、MOSFET
データシート:
IGN1011L1200
説明:
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
IGN1011L1200 仕様
商品属性
属性値
カテゴリ
トランジスタ - FET、MOSFET - RF FET、MOSFET
生産者
Integra Technologies
系列
-
包装
Tray
製品ステータス
Active
技術
HEMT
構成
1.03GHz ~ 1.09GHz
周波数
16.8dB
ゲイン
50 V
電圧 - テスト
-
定格電流(A)
-
雑音指数
160 mA
電流 - テスト
1250W
電源 - 出力
180 V
電圧 - 定格
-
取り付けタイプ
PL84A1
パッケージ/ケース
PL84A1
サプライヤデバイスパッケージ
-
IGN1011L1200 在庫: 8590
履歴価格
$914.14000
5.0 / 5.0
Léonie Caron
France
2021-08-02 07:24
パッケージのフェルトマーキングがあまり読み取れません(混乱する可能性があります)!それがなければ、適合してください!売り手さんありがとうございます!
Danuta Krawczyk
Poland
2021-08-12 12:06
IGBTトランジスタは、プラスt7-hの横のテスターのSAを検出しません、Eプラスの12Vのprzelaczanieのテシーで、さらにzarowkaはCの12Vを駆動し、指をプラスでトリガーし、zalanczaは-wylanczaでトリガーしました。非常に速いwysylka、速い配達、プロダクトよいjakosci、非常に私達
Charles Reed
United States
2021-12-31 23:06
良い製品と正しく動作します。
Quentin Giraud
France
2021-07-09 02:45
好評、まだテストされていません
Jukka Laakso
Finland
2021-12-03 00:22
10個注文します。ここで、3つのチップをテストし、2つはID 0x441で、STM32F407ではなくSTM32F412です。私はとてもがっかりしています。
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