カテゴリ
新着商品
品質管理
フィードバック
ホームページ  /  ディスクリート半導体製品  /  トランジスタ - FET、MOSFET - RF FET、MOSFET  /  Integra Technologies IGN1011L70

IGN1011L70

Active Icon Active - GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
IGN1011L70
IGN1011L70
Integra Technologies
MFRパート #
データシート:
説明:
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
 
3D Model Icon

IGN1011L70 仕様

商品属性
属性値
系列
-
包装
Bulk
製品ステータス
Active
技術
GaN HEMT
構成
1.03GHz ~ 1.09GHz
周波数
22dB
ゲイン
50 V
電圧 - テスト
-
定格電流(A)
-
雑音指数
22 mA
電流 - テスト
80W
電源 - 出力
120 V
電圧 - 定格
-
取り付けタイプ
PL32A2
パッケージ/ケース
PL32A2
サプライヤデバイスパッケージ
-

IGN1011L70 在庫: 34480

履歴価格
$222.00000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Danuta Krawczyk
Location Icon Poland
5 stars
2021-08-12 12:06
IGBTトランジスタは、プラスt7-hの横のテスターのSAを検出しません、Eプラスの12Vのprzelaczanieのテシーで、さらにzarowkaはCの12Vを駆動し、指をプラスでトリガーし、zalanczaは-wylanczaでトリガーしました。非常に速いwysylka、速い配達、プロダクトよいjakosci、非常に私達
Author Icon
Charles Reed
Location Icon United States
5 stars
2021-12-31 23:06
良い製品と正しく動作します。
Author Icon
Quentin Giraud
Location Icon France
5 stars
2021-07-09 02:45
好評、まだテストされていません
Author Icon
Jukka Laakso
Location Icon Finland
5 stars
2021-12-03 00:22
10個注文します。ここで、3つのチップをテストし、2つはID 0x441で、STM32F407ではなくSTM32F412です。私はとてもがっかりしています。
Author Icon
Kęstutis Darius
Location Icon Lithuania
5 stars
2021-12-27 06:22
商品は大変満足しており、売り手様は大変有難うございました。

IGN1011L70 関連パーツ

IGN1214L500B
IGN0912LM500
IGN1011L1200
IGN1011L70
IGN1214M300
IGN2729M400R2
お見積り依頼
部品番号 *
生産者
担当者 *
アドレス *
お問い合わせ数量 *
配送国 *