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トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
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EPC8002
Active - GANFET N-CH 65V 2A DIE
生産者:
EPC
MFRパート #
EPC8002
カテゴリ:
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
データシート:
EPC8002
説明:
GANFET N-CH 65V 2A DIE
EPC8002 仕様
商品属性
属性値
カテゴリ
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
生産者
EPC
系列
eGaN
包装
Tape & Reel (TR)
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
65 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
2A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
5V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
530mOhm @ 500mA, 5V
Id印加時のVgs（th）（最大）
2.5V @ 250μA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
-
Vgs（最大）
+6V, -4V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
21 pF @ 32.5 V
FET機能
-
電力散逸（最大）
-
動作温度
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
Die
パッケージ/ケース
Die
EPC8002 在庫: 20180
履歴価格
$3.12000
5.0 / 5.0
Vanessa Conti
Italy
2023-03-26 11:37
真剣でプロフェッショナルな売り手がおすすめします
Ugo Marino
Italy
2023-03-25 05:08
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Brazil
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2023-03-26 07:37
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John Jones
United Kingdom
2023-03-27 06:47
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