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EPC2016
Discontinued - GANFET N-CH 100V 11A DIE
生産者:
EPC
MFRパート #
EPC2016
カテゴリ:
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
データシート:
EPC2016
説明:
GANFET N-CH 100V 11A DIE
EPC2016 仕様
商品属性
属性値
カテゴリ
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
生産者
EPC
系列
eGaN
包装
Tape & Reel (TR)
製品ステータス
Discontinued
FETタイプ
N-Channel
技術
GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
11A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
5V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
16mOhm @ 11A, 5V
Id印加時のVgs（th）（最大）
2.5V @ 3mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
5.2 nC @ 5 V
Vgs（最大）
+6V, -5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
520 pF @ 50 V
FET機能
-
電力散逸（最大）
-
動作温度
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
Die
パッケージ/ケース
Die
EPC2016 在庫: 33500
履歴価格
Discontinued at Digi-Key
5.0 / 5.0
Sergio
Spain
2023-02-08 12:10
すべてがとても良い
Émilien Lefèvre
France
2023-02-08 01:13
こんにちは、よく説明に従って製品を受け取り、非常に速く、よくパックします、私は売り手と製品をお勧めします5つ星に感謝します。
Clara Dufour
France
2023-02-08 02:56
完璧なショッピング。すべてが順調です
Roberta Nascimento
Brazil
2023-02-07 16:24
また、広告に、今マザーボードにインストールして、持続時間の品質がどうなるかを見て、私には頑張ってください
Valentina Sofía Díaz
Spain
2023-02-04 01:14
テストされていませんが、見た目は良さそうです。
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Discontinued - GANFET N-CH 100V 11A DIE
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