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トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
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EPC8004
Active - GANFET N-CH 40V 4A DIE
生産者:
EPC
MFRパート #
EPC8004
カテゴリ:
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
データシート:
EPC8004
説明:
GANFET N-CH 40V 4A DIE
EPC8004 仕様
商品属性
属性値
カテゴリ
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
生産者
EPC
系列
eGaN
包装
Tape & Reel (TR)
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
40 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
4A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
110mOhm @ 500mA, 5V
Id印加時のVgs(th)(最大)
2.5V @ 250μA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
0.45 nC @ 5 V
Vgs(最大)
+6V, -4V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
52 pF @ 20 V
FET機能
-
電力散逸(最大)
-
動作温度
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
Die
パッケージ/ケース
Die
EPC8004 在庫: 3950
履歴価格
$3.01000
5.0 / 5.0
Hugo
Spain
2021-12-23 03:52
大丈夫です。時間内に受信
Felipe Soto
Spain
2021-02-06 23:42
完璧に受け取られました。対応するプリント回路基板にユニットを溶接し、Arduino Nanoプレートの故障したユニットを完全に交換しました。
Katharina Schneider
Germany
2021-08-04 23:28
納期は2週間です。チップは正常に動作します
Paul Roy
France
2021-11-04 06:37
私の使用に対応
Laura Cristina
Spain
2021-07-11 09:01
テスト済み、期待どおりに動作します。
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