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トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
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EPC2219
Active - TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
生産者:
EPC
MFRパート #
EPC2219
カテゴリ:
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
データシート:
EPC2219
説明:
TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
EPC2219 仕様
商品属性
属性値
カテゴリ
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
生産者
EPC
系列
-
包装
Tape & Reel (TR)
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
65 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
500mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
5V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
3.3Ohm @ 59mA, 5V
Id印加時のVgs（th）（最大）
2.5V @ 100μA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
0.064 nC @ 5 V
Vgs（最大）
-
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
10 pF @ 32.5 V
FET機能
-
電力散逸（最大）
-
動作温度
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
Die
パッケージ/ケース
Die
EPC2219 在庫: 34475
履歴価格
$1.38000
5.0 / 5.0
Éva Delaunay
France
2023-03-26 01:25
彼らは予想よりもはるかに早く到着しました。私がしなければならないのは、それらに乗ることだけです。
Jussara Costa Ferreira
Brazil
2023-03-24 07:14
素晴らしい製品。
すでにテスト済み
Laura Salmi
Finland
2023-03-24 03:47
単純に素晴らしいです!!ありがとうございます。
Ville Räsänen
Finland
2022-12-19 19:44
配達物が届きませんでした。
Asher King
United States
2023-03-25 13:19
(東芝)の様な説明です。私が求めた金額です。彼はすぐに送った。まだ証明されていないので、後で追加のコメントを載せます。
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