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EPC2215

Active - GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE

EPC2215

EPC

生産者:

MFRパート #

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

データシート:

説明:

GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE

EPC2215 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

生産者

系列

-

包装

Tape & Reel (TR)

製品ステータス

Active

FETタイプ

N-Channel

技術

GaNFET (Gallium Nitride)

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

200 V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

32A (Ta)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

5V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

8mOhm @ 20A, 5V

Id印加時のVgs（th）（最大）

2.5V @ 6mA

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

17.7 nC @ 5 V

Vgs（最大）

+6V, -4V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

1790 pF @ 100 V

FET機能

-

電力散逸（最大）

-

動作温度

-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Surface Mount

サプライヤデバイスパッケージ

Die

パッケージ/ケース

Die

EPC2215 在庫: 33860

履歴価格

$6.15000

Certificates

5.0 / 5.0

Mindaugas Egidijus

Lithuania

2023-03-22 08:53

商品に非常に満足しており、売り手に大変感謝しています。

Maria Alice

Brazil

2023-03-24 20:24

製品は約束を果たしました。IHクッキングヒーターを固定しました。

Ana Teresa

Spain

2023-03-24 06:22

非常にいいです。大丈夫です。あいさつ。ありがとうございます。。。

Sergio Gallo

Italy

2023-03-23 22:54

すべてがOKをお勧めします、素晴らしい製品

Annelies de Wit

Netherlands

2023-03-25 04:23

注文したとおりのすべて、品質はチェックしていませんが、外観と数量は説明の通りです。配達は速いです。ありがとうございます！(PS はい、私は女性です!混乱させないでください!

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