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トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
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EPC2204
Active - TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
生産者:
EPC
MFRパート #
EPC2204
カテゴリ:
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
データシート:
EPC2204
説明:
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC2204 仕様
商品属性
属性値
カテゴリ
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
生産者
EPC
系列
eGaN
包装
Tape & Reel (TR)
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
29A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
5V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
6mOhm @ 16A, 5V
Id印加時のVgs（th）（最大）
2.5V @ 4mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
7.4 nC @ 5 V
Vgs（最大）
+6V, -4V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
851 pF @ 50 V
FET機能
-
電力散逸（最大）
-
動作温度
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
Die
パッケージ/ケース
Die
EPC2204 在庫: 20100
履歴価格
$2.51000
5.0 / 5.0
Nélson Andrade Sra.
Brazil
2022-10-27 02:53
イメージプレートが読み込まれて止まったけど、正常に戻ったかどうかはわかりません
Tânia Maria Ferreira
Brazil
2023-04-18 06:38
優れた品質の部品を受け取り、誰にでも完璧におすすめします
Gustavo Silva
Brazil
2023-04-14 14:42
代名トランジスタigbt
Sávio Lima Almeida
Brazil
2023-04-14 05:16
質の高い製品です!完璧に機能しています。
Justine Lemoine
France
2023-04-13 09:05
テストするのに最適です
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Active - TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
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