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トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
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EPC2202
Active - GANFET N-CH 80V 18A DIE
生産者:
EPC
MFRパート #
EPC2202
カテゴリ:
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
データシート:
EPC2202
説明:
GANFET N-CH 80V 18A DIE
EPC2202 仕様
商品属性
属性値
カテゴリ
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
生産者
EPC
系列
Automotive, AEC-Q101, eGaN
包装
Tape & Reel (TR)
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
80 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
18A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
17mOhm @ 11A, 5V
Id印加時のVgs(th)(最大)
2.5V @ 3mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
4 nC @ 5 V
Vgs(最大)
+5.75V, -4V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
415 pF @ 50 V
FET機能
-
電力散逸(最大)
-
動作温度
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
Die
パッケージ/ケース
Die
EPC2202 在庫: 19735
履歴価格
$2.91000
5.0 / 5.0
Sofia Vitória
Brazil
2023-03-18 04:17
電圧制限でテストおよび確認された材料、メーカーの定格を超えるテスト。
George Mitchell
United States
2023-03-17 13:18
すべての非常に優れた機能がうまく機能します
Nienke de Haan
Netherlands
2023-03-17 03:02
9日でオランダにお届けします!!素晴らしいサービス
Anna Schmidt
Germany
2023-03-17 08:43
すべてが素晴らしく、非常に速い船積み
Ivo Pereira
Brazil
2023-03-17 13:40
この売り手からのすべてのコンポーネントと製品は100%、帯電防止パッキング、お勧めです、速くよく梱包されたことをお勧めします。
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