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トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
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EPC2069
Active - GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
生産者:
EPC
MFRパート #
EPC2069
カテゴリ:
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
データシート:
EPC2069
説明:
GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
EPC2069 仕様
商品属性
属性値
カテゴリ
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
生産者
EPC
系列
-
包装
Tape & Reel (TR)
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
40 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
-
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
-
Id印加時のVgs（th）（最大）
-
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
-
Vgs（最大）
-
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
-
FET機能
-
電力散逸（最大）
-
動作温度
-
取り付けタイプ
-
サプライヤデバイスパッケージ
-
パッケージ/ケース
-
EPC2069 在庫: 47540
履歴価格
$5.06000
5.0 / 5.0
Fábio Gomes Filho
Brazil
2023-03-27 14:43
まだ使ってない
右売り手
Krystyna Zawadzka
Poland
2023-03-27 01:57
すべて説明によると。Russia morduje Ukraińców
Tiziana Rizzo
Italy
2023-03-27 05:39
迅速な配送、すべて説明通り。
Hugo Enrique Pérez
Spain
2022-11-04 11:23
RGH3からXbox 360に最適で、完璧に機能します。
Mindaugas Egidijus
Lithuania
2023-03-22 08:53
商品に非常に満足しており、売り手に大変感謝しています。
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Active - GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Brazil
