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EPC2016C

Active Icon Active - GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC2016C
EPC2016C
EPC
生産者:
EPC
MFRパート #
EPC2016C
カテゴリ:
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
データシート:
Datasheet Icon EPC2016C
説明:
GANFET N-CH 100V 18A DIE
 
3D Model Icon

EPC2016C 仕様

商品属性
属性値
カテゴリ
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
生産者
EPC
系列
eGaN
包装
Tape & Reel (TR)
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
18A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
5V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
16mOhm @ 11A, 5V
Id印加時のVgs（th）（最大）
2.5V @ 3mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
4.5 nC @ 5 V
Vgs（最大）
+6V, -4V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
420 pF @ 50 V
FET機能
-
電力散逸（最大）
-
動作温度
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
Die
パッケージ/ケース
Die

EPC2016C 在庫: 40860

履歴価格
$2.45000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Quinto Silva Ferreira
Location Icon Brazil
5 stars
2023-04-04 03:03
上部にラッチマークがあり、使われていると思います。私は使って支払いました
Author Icon
Camila Lopes
Location Icon Brazil
5 stars
2023-04-06 07:11
優れた品質と超速い販売推奨が用意されています。
Author Icon
Ilaria Ferri
Location Icon Italy
5 stars
2023-04-05 09:43
商品と数量は説明通りで、品質は良好です。
Author Icon
Orlando Santos Almeida
Location Icon Brazil
5 stars
2023-03-31 18:12
素晴らしい獲得です。品質の良い商品で、非常に責任感のある販売者です。
Author Icon
Giulio Conti
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-30 13:19
説明通りのもので、とても良い販売者で、強くおすすめします。

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