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トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
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EPC2014C
Active - GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
生産者:
EPC
MFRパート #
EPC2014C
カテゴリ:
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
データシート:
EPC2014C
説明:
GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
EPC2014C 仕様
商品属性
属性値
カテゴリ
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
生産者
EPC
系列
eGaN
包装
Tape & Reel (TR)
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
40 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
10A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
5V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
16mOhm @ 10A, 5V
Id印加時のVgs（th）（最大）
2.5V @ 2mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
2.5 nC @ 5 V
Vgs（最大）
+6V, -4V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
300 pF @ 20 V
FET機能
-
電力散逸（最大）
-
動作温度
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
Die
パッケージ/ケース
Die
EPC2014C 在庫: 46565
履歴価格
$1.53000
5.0 / 5.0
Naomi Thompson
United States
2022-11-10 14:27
一部の損傷したコンポーネント、使用不能
Émile Lecomte
France
2023-03-20 09:32
まあ50個。価格に見合った素晴らしい!
Kiko Almeida
Brazil
2023-03-24 12:59
すべて同じ読み方で、すべて真実である、私はお勧めします。
Érica Santos Sra.
Brazil
2023-03-22 12:27
到着。それらをテストしていません
Raffaella Esposito
Italy
2023-03-21 12:55
税関で立ち往生
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