新着商品

品質管理

フィードバック

STY112N65M5

Active - MOSFET N-CH 650V 96A MAX247

生産者:

STMicroelectronics

MFRパート #

STY112N65M5

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

データシート:

STY112N65M5

説明:

MOSFET N-CH 650V 96A MAX247

STY112N65M5 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

生産者

STMicroelectronics

系列

MDmesh V

包装

Tube

製品ステータス

Active

FETタイプ

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

650 V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

96A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

10V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

22mOhm @ 47A, 10V

Id印加時のVgs（th）（最大）

5V @ 250μA

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

350 nC @ 10 V

Vgs（最大）

?5V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

16870 pF @ 100 V

FET機能

-

電力散逸（最大）

625W (Tc)

動作温度

150 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Through Hole

サプライヤデバイスパッケージ

MAX247?

パッケージ/ケース

TO-247-3

STY112N65M5 在庫: 36270

履歴価格

$38.05000

5.0 / 5.0

Emil Cieślak

Poland

2023-01-29 05:13

すべてOK、私のXbox One Xは動作します。%26lt;br%26gt;おすすめ

Mário Sérgio Santos

Brazil

2023-01-30 15:47

商品はしっかりと梱包され、完璧に到着しました

Olívia Lima

Brazil

2023-01-31 03:09

私はすでに1つをテストしましたが、それは完全に機能しました

Tom van Leeuwen

Netherlands

2023-01-31 08:48

優れたIRレシーバー。非常に低い消費電流(200uA @ 4V)を測定したので、スタンドアロンの入口検出に使用できます。IR感度は非常に高く、IR-LEDにもよりますが、最大20メートルだと思います。%26lt;br%26gt;レシーバーは連続IRを好みません。

Jairo Silva Almeida

Brazil

2023-01-30 23:12

すべてが正しく到着し、テストされ、承認されました....チアゴ・デ・マセイオ・アル

STY112N65M5

STY112N65M5 仕様

STY112N65M5 在庫: 36270

STY112N65M5 関連パーツ