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STY100NM60N

Active - MOSFET N CH 600V 98A MAX247

生産者:

STMicroelectronics

MFRパート #

STY100NM60N

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

データシート:

STY100NM60N

説明:

MOSFET N CH 600V 98A MAX247

STY100NM60N 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

生産者

STMicroelectronics

系列

MDmesh II

包装

Tube

製品ステータス

Active

FETタイプ

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

600 V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

98A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

10V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

29mOhm @ 49A, 10V

Id印加時のVgs（th）（最大）

4V @ 250μA

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

330 nC @ 10 V

Vgs（最大）

25V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

9600 pF @ 50 V

FET機能

-

電力散逸（最大）

625W (Tc)

動作温度

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Through Hole

サプライヤデバイスパッケージ

MAX247?

パッケージ/ケース

TO-247-3

STY100NM60N 在庫: 5125

履歴価格

$28.10000

5.0 / 5.0

Érica Lima Ferreira

Brazil

2023-03-08 14:20

私が注文したようにすべてを完璧にしました

Matteo Rizzo

Italy

2023-03-11 08:26

すべて良いです。未テストです

Walter Vitale

Italy

2023-03-07 05:43

良くて速い製品は大丈夫です...

Dandara Costa Almeida

Brazil

2023-03-08 15:10

高品質の製品

Clara Adams

United States

2023-03-08 10:26

配送に時間がかかりましたので、店舗は配送時間にもっと注意を払うことをお勧めします。それでも、荷物は予想よりもはるかに早く到着しました!

STY100NM60N

STY100NM60N 仕様

STY100NM60N 在庫: 5125

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