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K3KL5L50DM-BGCU
Active - IC DRAM LPDDR5X 128 Gb 8533 Mbps
生産者:
Samsung Semiconductor
MFRパート #
K3KL5L50DM-BGCU
カテゴリ:
メモリ
データシート:
K3KL5L50DM-BGCU
説明:
IC DRAM LPDDR5X 128 Gb 8533 Mbps
K3KL5L50DM-BGCU 仕様
商品属性
属性値
カテゴリ
メモリ
生産者
Samsung Semiconductor
系列
-
包装
Tray
製品ステータス
Active
メモリタイプ
Volatile
メモリフォーマット
DRAM
技術
LPDDR5X
メモリサイズ
128 Gb
メモリ構成
x64
メモリインターフェース
Parallel
クロック周波数
-
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
-
アクセス時間
-
電圧 - 供給
1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V
動作温度
-25 ~ 85 ℃
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
496 FBGA
サプライヤデバイスパッケージ
496 FBGA
K3KL5L50DM-BGCU 説明
Samsung Semiconductor K3KL5L50DM-BGCUは、主にモバイルデバイスやストレージソリューションに使用されるNANDフラッシュメモリです。このチップは、特にスマートフォン、タブレット、SSD(ソリッドステートドライブ)などの高性能デバイスにおいて、優れたストレージ性能と効率を提供することを目的としています。
### 仕様とパラメータ
1.
メモリタイプ
: NANDフラッシュメモリ
2.
容量
: 64GB
3.
インターフェース
: ONFI 2.0(Open NAND Flash Interface)
4.
ページサイズ
: 4KB
5.
ブロックサイズ
: 128KB
6.
動作電圧
: 2.7V - 3.6V
7.
データ転送速度
: 最大400MB/s(読み取り)、最大100MB/s(書き込み)
8.
パッケージタイプ
: BGA(ボールグリッドアレイ)
9.
温度範囲
: -40°Cから+85°C(動作温度)
### 特徴
-
高いパフォーマンス
: K3KL5L50DM-BGCUは、高速なデータ転送を実現しており、アプリケーションの起動やデータの読み書きが迅速に行えます。特に、ランダムアクセス性能が優れており、マルチタスク処理に適しています。
-
省電力設計
: このNANDフラッシュメモリは、低電圧で動作するため、バッテリー寿命を延ばすことができます。特にモバイルデバイスにおいては、効率的な電力管理が重要です。
-
高い耐久性
: SamsungのNANDフラッシュメモリは、耐久性が高く、長期間の使用でも安定した性能を維持します。これにより、データの信頼性が向上します。
-
広範な適用性
: K3KL5L50DM-BGCUは、スマートフォン、タブレット、デジタルカメラ、SSDなど、さまざまなデバイスに対応しており、幅広い用途で利用されています。
### 用途
このメモリチップは、特にモバイルデバイスにおいて、アプリケーションのスムーズな実行やデータの迅速な読み書きを可能にします。また、ゲームや高解像度の動画再生など、要求されるパフォーマンスが高いシナリオでも優れた能力を発揮します。
### まとめ
Samsung Semiconductor K3KL5L50DM-BGCUは、最新のNANDフラッシュ技術を採用した高性能なストレージソリューションであり、さまざまなデバイスにおいて優れたパフォーマンスと効率を提供します。省電力設計と高い耐久性により、現代のデジタルライフスタイルに最適な選択肢となっています。
K3KL5L50DM-BGCU 在庫: 42125
履歴価格
0
5.0 / 5.0
Jukka Laakso
Finland
2021-12-03 00:22
10個注文します。ここで、3つのチップをテストし、2つはID 0x441で、STM32F407ではなくSTM32F412です。私はとてもがっかりしています。
Kęstutis Darius
Lithuania
2021-12-27 06:22
商品は大変満足しており、売り手様は大変有難うございました。
Justine Perrin
France
2021-06-10 07:32
89日でRecu、ストリップ、テストする
Lotte van der Veen
Netherlands
2021-11-23 06:50
大丈夫です、ありがとうございます!
Hugo
Spain
2021-12-23 03:52
大丈夫です。時間内に受信
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