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K3KL6L60GM-MGCT
Sampling - IC DRAM LPDDR5X 16 Gb 7500 Mbps
生産者:
Samsung Semiconductor
MFRパート #
K3KL6L60GM-MGCT
カテゴリ:
メモリ
データシート:
K3KL6L60GM-MGCT
説明:
IC DRAM LPDDR5X 16 Gb 7500 Mbps
K3KL6L60GM-MGCT 仕様
商品属性
属性値
カテゴリ
メモリ
生産者
Samsung Semiconductor
系列
-
包装
Tray
製品ステータス
Sampling
メモリタイプ
Volatile
メモリフォーマット
DRAM
技術
LPDDR5X
メモリサイズ
16 Gb
メモリ構成
x32
メモリインターフェース
Parallel
クロック周波数
-
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
-
アクセス時間
-
電圧 - 供給
1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V
動作温度
-25 ~ 85 ℃
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
315 FBGA
サプライヤデバイスパッケージ
315 FBGA
K3KL6L60GM-MGCT 説明
Samsung Semiconductor K3KL6L60GM-MGCTは、Samsungが製造した高性能のNANDフラッシュメモリです。このデバイスは、特にスマートフォン、タブレット、デジタルカメラ、SSD(ソリッドステートドライブ)などのストレージソリューションに広く使用されています。以下に、K3KL6L60GM-MGCTの詳細な仕様と特徴を紹介します。
### 基本仕様
-
メモリタイプ
: NANDフラッシュメモリ
-
容量
: 64GB
-
パッケージタイプ
: BGA(ボールグリッドアレイ)
-
インターフェース
: ONFI(Open NAND Flash Interface)2.0
### 電気的仕様
-
動作電圧
: 2.7Vから3.6V
-
消費電力
: 低消費電力設計により、バッテリー駆動のデバイスに最適です。
-
動作温度範囲
: -40°Cから85°C
### 性能
-
読み取り速度
: 最大400 MB/s
-
書き込み速度
: 最大200 MB/s
-
ランダム読み取り性能
: 4Kランダム読み取りで最大30,000 IOPS(入出力操作毎秒)
-
ランダム書き込み性能
: 4Kランダム書き込みで最大10,000 IOPS
### 特徴
-
高耐久性
: K3KL6L60GM-MGCTは、耐久性が高く、長寿命のデータ保存が可能です。特に、ウェアレベリング技術を採用しており、セルの均等な使用を実現しています。
-
エラーチェック機能
: ECC(エラーチェックと訂正)機能を内蔵しており、データの整合性を保つことができます。
-
セキュリティ機能
: データの暗号化機能をサポートしており、安全なデータ保存が可能です。
### 用途
K3KL6L60GM-MGCTは、さまざまなアプリケーションに適しています。具体的には、以下のような分野での利用が考えられます。
- スマートフォンやタブレットのストレージ
- デジタルカメラやビデオカメラ
- SSD(ソリッドステートドライブ)
- IoTデバイス
- 車載エレクトロニクス
### まとめ
Samsung Semiconductor K3KL6L60GM-MGCTは、高性能で信頼性の高いNANDフラッシュメモリであり、さまざまなデバイスにおいて優れたストレージソリューションを提供します。高速なデータ転送速度と低消費電力設計により、現代のデジタルデバイスにおいて理想的な選択肢となるでしょう。
K3KL6L60GM-MGCT 在庫: 1525
履歴価格
0
5.0 / 5.0
Charles Reed
United States
2021-12-31 23:06
良い製品と正しく動作します。
Quentin Giraud
France
2021-07-09 02:45
好評、まだテストされていません
Jukka Laakso
Finland
2021-12-03 00:22
10個注文します。ここで、3つのチップをテストし、2つはID 0x441で、STM32F407ではなくSTM32F412です。私はとてもがっかりしています。
Kęstutis Darius
Lithuania
2021-12-27 06:22
商品は大変満足しており、売り手様は大変有難うございました。
Justine Perrin
France
2021-06-10 07:32
89日でRecu、ストリップ、テストする
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