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FDN336P

Active - MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3

生産者:

onsemi

MFRパート #

FDN336P

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

データシート:

FDN336P

説明:

MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3

FDN336P 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

生産者

onsemi

系列

PowerTrench

包装

Tape & Reel (TR)

製品ステータス

Active

FETタイプ

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

20 V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

1.3A (Ta)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

2.5V, 4.5V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

200mOhm @ 1.3A, 4.5V

Id印加時のVgs（th）（最大）

1.5V @ 250μA

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

5 nC @ 4.5 V

Vgs（最大）

?V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

330 pF @ 10 V

FET機能

-

電力散逸（最大）

500mW (Ta)

動作温度

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Surface Mount

サプライヤデバイスパッケージ

SOT-23-3

パッケージ/ケース

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

FDN336P 在庫: 20120

履歴価格

$0.46000

5.0 / 5.0

Natasza Zawisza

Poland

2023-02-27 07:35

出荷を受け取りました、トランジスタはsprawdza?emではありません。

Ricardo Antonio García

Spain

2023-02-26 04:12

すべてうまくいっています私は売り手をお勧めします

Mariana Isabel

Spain

2023-02-26 01:48

すべてOK、ありがとう

Adriano Silva Almeida

Brazil

2023-02-18 13:09

正しく到着したOBGはすでに動作しています。

Jussara Almeida

Brazil

2023-02-25 04:33

将来のプロジェクト用に購入したので、コンポーネントをテストすることはできません。売り手が小包を投函するまでに約1週間かかったので、5つ星は残しませんでした。

FDN336P

FDN336P 仕様

FDN336P 在庫: 20120

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