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トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
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FDN308P
Active - MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
生産者:
onsemi
MFRパート #
FDN308P
カテゴリ:
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
データシート:
FDN308P
説明:
MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
FDN308P 仕様
商品属性
属性値
カテゴリ
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
生産者
onsemi
系列
PowerTrench
包装
Tape & Reel (TR)
製品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
20 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
1.5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
2.5V, 4.5V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
125mOhm @ 1.5A, 4.5V
Id印加時のVgs（th）（最大）
1.5V @ 250μA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
5.4 nC @ 4.5 V
Vgs（最大）
?2V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
341 pF @ 10 V
FET機能
-
電力散逸（最大）
500mW (Ta)
動作温度
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
SOT-23-3
パッケージ/ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDN308P 在庫: 48540
履歴価格
$0.56000
5.0 / 5.0
Martín Herrera
Spain
2023-02-26 01:48
すべてOK、ありがとう
Juliana Carolina López
Spain
2023-02-26 01:48
すべてOK、ありがとう
Amy Adams
United States
2023-02-10 13:39
注文した以外の集積回路が入荷しました。
Fernando Andrés
Spain
2023-02-26 01:48
すべてOK、ありがとう
Max Thompson
United States
2022-11-02 23:28
すべてOKですが、3か月以上かかります。修理中の顧客は何のstraci?emによって。%26lt;br%26gt;おすすめ。
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