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トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
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FDC855N
Active - MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
生産者:
onsemi
MFRパート #
FDC855N
カテゴリ:
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
データシート:
FDC855N
説明:
MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
FDC855N 仕様
商品属性
属性値
カテゴリ
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
生産者
onsemi
系列
PowerTrench
包装
Tape & Reel (TR)
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
30 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
6.1A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V, 10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
27mOhm @ 6.1A, 10V
Id印加時のVgs（th）（最大）
3V @ 250μA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
13 nC @ 10 V
Vgs（最大）
?0V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
655 pF @ 15 V
FET機能
-
電力散逸（最大）
1.6W (Ta)
動作温度
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
SuperSOT?-6
パッケージ/ケース
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
FDC855N 在庫: 48160
履歴価格
$0.71000
5.0 / 5.0
Stanisław Kaczor
Poland
2023-03-26 07:37
注文に応じて良質な商品。配達時間18日。
John Jones
United Kingdom
2023-03-27 06:47
素晴らしいアイテム、素晴らしい売り手、A
Kátia Almeida Lima
Brazil
2023-03-27 19:58
製品を受け取りましたが、まだテストしていませんが、購入には満足しています。
Fábio Gomes Filho
Brazil
2023-03-27 14:43
まだ使ってない
右売り手
Krystyna Zawadzka
Poland
2023-03-27 01:57
すべて説明によると。Russia morduje Ukraińców
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