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ホームページ / ディスクリート半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET / onsemi FDC2612

FDC2612

Active - MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6

FDC2612

onsemi

生産者:

MFRパート #

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

データシート:

説明:

MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6

FDC2612 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

生産者

系列

PowerTrench

包装

Tape & Reel (TR)

製品ステータス

Active

FETタイプ

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

200 V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

1.1A (Ta)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

10V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

725mOhm @ 1.1A, 10V

Id印加時のVgs（th）（最大）

4.5V @ 250μA

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

11 nC @ 10 V

Vgs（最大）

?0V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

234 pF @ 100 V

FET機能

-

電力散逸（最大）

1.6W (Ta)

動作温度

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Surface Mount

サプライヤデバイスパッケージ

SuperSOT?-6

パッケージ/ケース

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

FDC2612 在庫: 13600

履歴価格

$0.92000

Certificates

5.0 / 5.0

Lucien Barre

France

2023-03-16 05:43

よろしくお願いいたします

Lucas Felipe

Brazil

2023-03-16 12:01

商品を受け取りましたが、短納期で、購入に満足しています。お売り手様ありがとうございます

Karla Soto

Spain

2023-03-16 04:57

Everything Perfectはすぐにスペインにやってきました。

Fernando Miguel Hernández

Spain

2023-03-16 04:06

壮大な電圧レギュレーター、超小型で非常に効率的です。

Blanche Gillet

France

2023-03-15 00:56

短納期で、商品はしっかりと梱包されており、注文に準拠しているように見えますが、まだテストされていません。感謝

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