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2N7000

Active Icon Active - MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
2N7000
2N7000
onsemi
生産者:
MFRパート #
データシート:
説明:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
 
3D Model Icon

2N7000 仕様

商品属性
属性値
生産者
系列
-
包装
Bulk
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
60 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
200mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
5Ohm @ 500mA, 10V
Id印加時のVgs(th)(最大)
3V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
-
Vgs(最大)
?0V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
50 pF @ 25 V
FET機能
-
電力散逸(最大)
400mW (Ta)
動作温度
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ
TO-92-3
パッケージ/ケース
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

2N7000 説明

STMicroelectronicsの2N7000は、広く使用されているNチャネルMOSFETで、特にスイッチングアプリケーションや小型の電源管理回路に適しています。このデバイスは、低いオン抵抗と高いスイッチング速度を特徴としており、さまざまな電子機器での使用が可能です。以下に、2N7000の詳細な仕様と特徴を紹介します。

### 基本仕様
- タイプ: NチャネルMOSFET
- パッケージ: TO-92
- 最大定格:
- V_DS (ドレイン-ソース間電圧): 60V
- I_D (ドレイン電流): 200mA
- P_D (最大消費電力): 500mW
- T_J (接合温度): 150°C
- T_STG (保存温度): -55°C から +150°C

### 電気的特性
- R_DS(on) (オン抵抗):
- V_GS = 10Vのとき、最大で約 0.5Ω
- V_GS = 4.5Vのとき、最大で約 0.8Ω
- V_GS(th) (ゲート-ソース間閾値電圧): 2V から 4V
- I_D (連続ドレイン電流): 200mA (T_A = 25°C)
- スイッチング特性:
- t_on (ターンオン時間): 約 30ns
- t_off (ターンオフ時間): 約 50ns

### 特徴
- 高効率: 低いオン抵抗により、スイッチング損失を最小限に抑え、高効率な動作が可能です。
- コンパクトなパッケージ: TO-92パッケージにより、基板スペースを節約できます。
- 広い動作温度範囲: 幅広い温度範囲での動作が可能で、様々なアプリケーションに適しています。

### アプリケーション
- スイッチング電源
- DC-DCコンバータ
- モーター制御
- バッテリー管理システム
- 信号スイッチング

### まとめ
2N7000は、信頼性が高く、さまざまな用途に対応できるNチャネルMOSFETです。特に、スイッチングアプリケーションや電源管理において、その性能を発揮します。高い効率と耐久性を持つこのデバイスは、設計者にとって非常に魅力的な選択肢となっています。

2N7000 在庫: 18535

履歴価格
$0.46000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
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Javier Manuel
Location Icon Spain
5 stars
2021-06-04 20:43
Todoは順番に対応しています。
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Teresa Cordero
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5 stars
2021-12-12 14:16
迅速な配送をテストする必要があります
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Andrius Gintaras
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5 stars
2021-08-07 08:03
受信したすべてのIGBTトランジターは高品質です。
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2021-06-07 13:12
商品を受け取りましたが、すべてOK、超満足です。
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Sophie Bakker
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5 stars
2021-07-13 07:14
速い船積み、よく梱包されています!これは、電流センサーをフォームで適切に保護した最初の販売者です。このお店には星がついていて、おすすめ!

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