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ホームページ / ディスクリート半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET / Microchip Technology 2N7000-G

2N7000-G

Active - MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3

2N7000-G

Microchip Technology

生産者:

Microchip Technology

MFRパート #

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

データシート:

説明:

MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3

2N7000-G 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

生産者

Microchip Technology

系列

-

包装

Bag

製品ステータス

Active

FETタイプ

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

60 V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

200mA (Tj)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

4.5V, 10V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

5Ohm @ 500mA, 10V

Id印加時のVgs（th）（最大）

3V @ 1mA

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

-

Vgs（最大）

?0V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

60 pF @ 25 V

FET機能

-

電力散逸（最大）

1W (Tc)

動作温度

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Through Hole

サプライヤデバイスパッケージ

TO-92-3

パッケージ/ケース

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

2N7000-G 在庫: 33275

履歴価格

$0.47000

Certificates

5.0 / 5.0

Andrius Gintaras

Lithuania

2021-08-07 08:03

受信したすべてのIGBTトランジターは高品質です。

Hilda

Brazil

2021-06-07 13:12

商品を受け取りましたが、すべてOK、超満足です。

Sophie Bakker

Netherlands

2021-07-13 07:14

速い船積み、よく梱包されています!これは、電流センサーをフォームで適切に保護した最初の販売者です。このお店には星がついていて、おすすめ!

Christopher Lee

United States

2021-04-11 13:16

良い製品、彼らは新品に見え、擦り傷や壊れていない、非常に良い品質、推奨

Célia Marchand

France

2021-08-19 11:17

Excellentseller非常に速い船積み

2N7000-G 関連パーツ

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