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トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
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NTE2973
Active - MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT TO-3P
生産者:
NTE Electronics
MFRパート #
NTE2973
カテゴリ:
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
データシート:
NTE2973
説明:
MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT TO-3P
NTE2973 仕様
商品属性
属性値
カテゴリ
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
生産者
NTE Electronics
系列
-
包装
Bag
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
900 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
14A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
850mOhm @ 7A, 10V
Id印加時のVgs(th)(最大)
4V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
-
Vgs(最大)
?0V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
2900 pF @ 25 V
FET機能
-
電力散逸(最大)
275W (Tc)
動作温度
-55 ℃ ~ 150 ℃
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ
TO-3P
パッケージ/ケース
TO-3P-3, SC-65-3
NTE2973 在庫: 230
履歴価格
$14.64000
5.0 / 5.0
Annelies de Wit
Netherlands
2023-03-25 04:23
注文したとおりのすべて、品質はチェックしていませんが、外観と数量は説明の通りです。配達は速いです。ありがとうございます!(PS はい、私は女性です!混乱させないでください!
Éva Delaunay
France
2023-03-26 01:25
彼らは予想よりもはるかに早く到着しました。私がしなければならないのは、それらに乗ることだけです。
Jussara Costa Ferreira
Brazil
2023-03-24 07:14
素晴らしい製品。
すでにテスト済み
Laura Salmi
Finland
2023-03-24 03:47
単純に素晴らしいです!!ありがとうございます。
Ville Räsänen
Finland
2022-12-19 19:44
配達物が届きませんでした。
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