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ホームページ / ディスクリート半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET / NTE Electronics NTE2946

NTE2946

Active - MOSFET-PWR N-CHAN ENHAN

NTE2946

NTE Electronics

生産者:

NTE Electronics

MFRパート #

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

データシート:

説明:

MOSFET-PWR N-CHAN ENHAN

NTE2946 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

生産者

NTE Electronics

系列

-

包装

Bag

製品ステータス

Active

FETタイプ

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

500 V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

4.6A

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

10V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

850mOhm @ 4A, 10V

Id印加時のVgs（th）（最大）

4V @ 250μA

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

74 nC @ 10 V

Vgs（最大）

?0V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

1510 pF @ 25 V

FET機能

Standard

電力散逸（最大）

40W (Tc)

動作温度

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Through Hole

サプライヤデバイスパッケージ

TO-220 Full Pack

パッケージ/ケース

TO-220-3 Full Pack

NTE2946 在庫: 27445

履歴価格

$6.42000

Certificates

5.0 / 5.0

Camila

Spain

2023-01-31 09:50

マウントされ、完璧に動作します

Elias Müller

Germany

2023-02-02 05:57

感謝する。すべて大丈夫

Samuel Andrés González

Spain

2023-02-01 13:34

すべて非常に速く、良質

Egidijus Andrius

Lithuania

2023-01-31 08:55

Atejo greit by 2 Sav

Yara Oliveira

Brazil

2023-01-30 07:55

非常に速く来て、私は非常に強く素晴らしい製品をお勧めします。

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