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2N5115

Active - P CHANNEL JFET

2N5115

Microchip Technology

生産者:

Microchip Technology

MFRパート #

カテゴリ:

トランジスタ - JFET

データシート:

説明:

P CHANNEL JFET

2N5115 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - JFET

生産者

Microchip Technology

系列

Military, MIL-PRF-19500

包装

Bulk

製品ステータス

Active

FETタイプ

P-Channel

電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）

30 V

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

30 V

電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）

60 mA @ 15 V

電流ドレイン（Id） - 最大

-

電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）

6 V @ 1 nA

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

25pF @ 15V

抵抗 - RDS（On）

100 Ohms

電力 - 最大

500 mW

動作温度

-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Through Hole

パッケージ/ケース

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

サプライヤデバイスパッケージ

TO-18 (TO-206AA)

2N5115 在庫: 11530

履歴価格

$34.47360

Certificates

5.0 / 5.0

Quirino Santos Ferreira

Brazil

2023-02-09 09:39

素晴らしい製品。みんなにおすすめ!

Joaquín

Spain

2023-02-11 10:26

その会社は、価値とそれが何であったかを詳述した請求書を私に送っておらず、税関はそれを保持し、受け取ることができませんでした

Dainius Karpavičius

Lithuania

2023-02-10 08:23

10個のトランジスタHfeはすべて同一22でした。少し電力テストを行いました:60W(6A)は簡単に保持します。トラジスタはオリジナルかもしれないと思います。売り手に感謝します!:)

Hugo Alberto Salazar

Spain

2023-02-10 08:31

わかりました、彼らは品質に見えます。

Delphine Leroy

France

2023-02-10 21:09

クールなパッケージ。わかりました！

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