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2N5116

Active - P-CHANNEL MOSFET TO-18

2N5116

Solid State

生産者:

MFRパート #

カテゴリ:

トランジスタ - JFET

データシート:

説明:

P-CHANNEL MOSFET TO-18

2N5116 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - JFET

生産者

系列

-

包装

Bulk

製品ステータス

Active

FETタイプ

P-Channel

電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）

30 V

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

600 mV

電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）

-

電流ドレイン（Id） - 最大

-

電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）

-

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

25pF @ 15V

抵抗 - RDS（On）

150 Ohms

電力 - 最大

500 mW

動作温度

-

取り付けタイプ

Through Hole

パッケージ/ケース

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

サプライヤデバイスパッケージ

TO-18

2N5116 在庫: 16620

履歴価格

$5.46700

Certificates

5.0 / 5.0

Zoey Cooper

United States

2023-02-11 22:04

10個入りのパックを手に入れましたが、どれも完璧に機能します。

Léonard Moreau

France

2023-02-11 03:27

とても満足しています

Elijah Brooks

United States

2023-02-12 23:38

説明正確ですが、注意してください:10個555と10ソケット。

Ramón

Spain

2023-02-11 02:23

すべて大丈夫、数日で受け取った、試してみる必要があります

Zé Carlos

Brazil

2022-10-20 14:40

とても良い、とても良い、お勧めします!!

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