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IPP020N06NAKSA1

Active - MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3

生産者:

Infineon Technologies

MFRパート #

IPP020N06NAKSA1

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

データシート:

IPP020N06NAKSA1

説明:

MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3

IPP020N06NAKSA1 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

生産者

Infineon Technologies

系列

OptiMOS

包装

Tube

製品ステータス

Active

FETタイプ

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

60 V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

29A (Ta), 120A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

6V, 10V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

2mOhm @ 100A, 10V

Id印加時のVgs（th）（最大）

2.8V @ 143μA

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

106 nC @ 10 V

Vgs（最大）

?0V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

7800 pF @ 30 V

FET機能

-

電力散逸（最大）

3W (Ta), 214W (Tc)

動作温度

-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Through Hole

サプライヤデバイスパッケージ

PG-TO220-3

パッケージ/ケース

TO-220-3

IPP020N06NAKSA1 在庫: 23720

履歴価格

$5.01000

5.0 / 5.0

Jukka Laakso

Finland

2021-12-03 00:22

10個注文します。ここで、3つのチップをテストし、2つはID 0x441で、STM32F407ではなくSTM32F412です。私はとてもがっかりしています。

Kęstutis Darius

Lithuania

2021-12-27 06:22

商品は大変満足しており、売り手様は大変有難うございました。

Justine Perrin

France

2021-06-10 07:32

89日でRecu、ストリップ、テストする

Lotte van der Veen

Netherlands

2021-11-23 06:50

大丈夫です、ありがとうございます!

Hugo

Spain

2021-12-23 03:52

大丈夫です。時間内に受信

IPP020N06NAKSA1

IPP020N06NAKSA1 仕様

IPP020N06NAKSA1 在庫: 23720

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