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IPP015N04NGXKSA1

Active - MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3

生産者:

Infineon Technologies

MFRパート #

IPP015N04NGXKSA1

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

データシート:

IPP015N04NGXKSA1

説明:

MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3

IPP015N04NGXKSA1 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

生産者

Infineon Technologies

系列

OptiMOS

包装

Tube

製品ステータス

Active

FETタイプ

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

40 V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

120A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

10V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

1.5mOhm @ 100A, 10V

Id印加時のVgs（th）（最大）

4V @ 200μA

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

250 nC @ 10 V

Vgs（最大）

?0V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

20000 pF @ 20 V

FET機能

-

電力散逸（最大）

250W (Tc)

動作温度

-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Through Hole

サプライヤデバイスパッケージ

PG-TO220-3-1

パッケージ/ケース

TO-220-3

IPP015N04NGXKSA1 在庫: 18380

履歴価格

$5.44000

5.0 / 5.0

Thomas-Dieter Weber

Germany

2021-06-01 09:35

とても良い私はお勧めするしかありません

Maria Eduarda Ferreira

Brazil

2021-04-17 07:13

非常に満足しており、良い売り手です。

Tânia Maria

Brazil

2021-07-09 20:10

まだオーディションを受けていないが、非常に速い

Léonie Caron

France

2021-08-02 07:24

パッケージのフェルトマーキングがあまり読み取れません(混乱する可能性があります)!それがなければ、適合してください!売り手さんありがとうございます!

Danuta Krawczyk

Poland

2021-08-12 12:06

IGBTトランジスタは、プラスt7-hの横のテスターのSAを検出しません、Eプラスの12Vのprzelaczanieのテシーで、さらにzarowkaはCの12Vを駆動し、指をプラスでトリガーし、zalanczaは-wylanczaでトリガーしました。非常に速いwysylka、速い配達、プロダクトよいjakosci、非常に私達

IPP015N04NGXKSA1

IPP015N04NGXKSA1 仕様

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