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CSD13303W1015

Active - MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA

生産者:

Texas Instruments

MFRパート #

CSD13303W1015

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

データシート:

CSD13303W1015

説明:

MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA

CSD13303W1015 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

生産者

Texas Instruments

系列

NexFET

包装

Tape & Reel (TR)

製品ステータス

Active

FETタイプ

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

12 V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

31A (Ta)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

2.5V, 4.5V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

20mOhm @ 1.5A, 4.5V

Id印加時のVgs（th）（最大）

1.2V @ 250μA

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

4.7 nC @ 4.5 V

Vgs（最大）

?V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

715 pF @ 6 V

FET機能

-

電力散逸（最大）

1.65W (Ta)

動作温度

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Surface Mount

サプライヤデバイスパッケージ

6-DSBGA (1x1.5)

パッケージ/ケース

6-UFBGA, DSBGA

CSD13303W1015 在庫: 38470

履歴価格

$0.53000

5.0 / 5.0

Tânia Maria

Brazil

2021-07-09 20:10

まだオーディションを受けていないが、非常に速い

Léonie Caron

France

2021-08-02 07:24

パッケージのフェルトマーキングがあまり読み取れません(混乱する可能性があります)!それがなければ、適合してください!売り手さんありがとうございます!

Danuta Krawczyk

Poland

2021-08-12 12:06

IGBTトランジスタは、プラスt7-hの横のテスターのSAを検出しません、Eプラスの12Vのprzelaczanieのテシーで、さらにzarowkaはCの12Vを駆動し、指をプラスでトリガーし、zalanczaは-wylanczaでトリガーしました。非常に速いwysylka、速い配達、プロダクトよいjakosci、非常に私達

Charles Reed

United States

2021-12-31 23:06

良い製品と正しく動作します。

Quentin Giraud

France

2021-07-09 02:45

好評、まだテストされていません