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HS3JB

Active - DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

生産者:

Taiwan Semiconductor

MFRパート #

HS3JB

カテゴリ:

ダイオード - 整流器 - シングルダイオード

データシート:

HS3JB

説明:

DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

HS3JB 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

ダイオード - 整流器 - シングルダイオード

生産者

Taiwan Semiconductor

系列

-

包装

Tape & Reel (TR)

製品ステータス

Active

技術

Standard

電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）

600 V

電流 - 平均整流（Io）

3A

電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）

1.7 V @ 3 A

速度

Fast Recovery = 200mA (Io)

逆回復時間（trr）

75 ns

電流 - Vr印加時の逆方向漏れ

10 μA @ 600 V

Vr、F印加時の静電容量

50pF @ 4V, 1MHz

取り付けタイプ

Surface Mount

パッケージ/ケース

DO-214AA, SMB

サプライヤデバイスパッケージ

DO-214AA (SMB)

動作温度 - ジャンクション

-55 ℃ ~ 150 ℃

HS3JB 在庫: 49480

履歴価格

$0.14243

5.0 / 5.0

Danuta Krawczyk

Poland

2021-08-12 12:06

IGBTトランジスタは、プラスt7-hの横のテスターのSAを検出しません、Eプラスの12Vのprzelaczanieのテシーで、さらにzarowkaはCの12Vを駆動し、指をプラスでトリガーし、zalanczaは-wylanczaでトリガーしました。非常に速いwysylka、速い配達、プロダクトよいjakosci、非常に私達

Charles Reed

United States

2021-12-31 23:06

良い製品と正しく動作します。

Quentin Giraud

France

2021-07-09 02:45

好評、まだテストされていません

Jukka Laakso

Finland

2021-12-03 00:22

10個注文します。ここで、3つのチップをテストし、2つはID 0x441で、STM32F407ではなくSTM32F412です。私はとてもがっかりしています。