新着商品

品質管理

フィードバック

HS1BL M2G

Active - DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

生産者:

Taiwan Semiconductor

MFRパート #

HS1BL M2G

カテゴリ:

ダイオード - 整流器 - シングルダイオード

データシート:

HS1BL M2G

説明:

DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

HS1BL M2G 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

ダイオード - 整流器 - シングルダイオード

生産者

Taiwan Semiconductor

系列

-

包装

Tape & Reel (TR)

製品ステータス

Active

技術

Standard

電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）

100 V

電流 - 平均整流（Io）

1A

電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）

950 mV @ 1 A

速度

Fast Recovery = 200mA (Io)

逆回復時間（trr）

50 ns

電流 - Vr印加時の逆方向漏れ

5 μA @ 100 V

Vr、F印加時の静電容量

20pF @ 4V, 1MHz

取り付けタイプ

Surface Mount

パッケージ/ケース

DO-219AB

サプライヤデバイスパッケージ

Sub SMA

動作温度 - ジャンクション

-55 ℃ ~ 150 ℃

HS1BL M2G 在庫: 49470

履歴価格

Active

5.0 / 5.0

Charles Reed

United States

2021-12-31 23:06

良い製品と正しく動作します。

Quentin Giraud

France

2021-07-09 02:45

好評、まだテストされていません

Jukka Laakso

Finland

2021-12-03 00:22

10個注文します。ここで、3つのチップをテストし、2つはID 0x441で、STM32F407ではなくSTM32F412です。私はとてもがっかりしています。

Kęstutis Darius

Lithuania

2021-12-27 06:22

商品は大変満足しており、売り手様は大変有難うございました。

Justine Perrin

France

2021-06-10 07:32

89日でRecu、ストリップ、テストする

HS1BL M2G

HS1BL M2G 仕様

HS1BL M2G 在庫: 49470

HS1BL M2G 関連パーツ