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ホームページ / ディスクリート半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET / STMicroelectronics STN6N60M2

STN6N60M2

Active - MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2

STN6N60M2

STMicroelectronics

生産者:

STMicroelectronics

MFRパート #

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

データシート:

説明:

MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2

STN6N60M2 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

生産者

STMicroelectronics

系列

MDmesh M2

包装

Tape & Reel (TR)

製品ステータス

Active

FETタイプ

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

600 V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

5.5A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

10V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

1.25Ohm @ 2A, 10V

Id印加時のVgs（th）（最大）

4V @ 250μA

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

6.2 nC @ 10 V

Vgs（最大）

?5V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

220 pF @ 100 V

FET機能

-

電力散逸（最大）

6W (Tc)

動作温度

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Surface Mount

サプライヤデバイスパッケージ

SOT-223-2

パッケージ/ケース

TO-261-3

STN6N60M2 在庫: 4900

履歴価格

$0.70000

Certificates

5.0 / 5.0

Naomi Thompson

United States

2022-11-10 14:27

一部の損傷したコンポーネント、使用不能

Émile Lecomte

France

2023-03-20 09:32

まあ50個。価格に見合った素晴らしい!

Kiko Almeida

Brazil

2023-03-24 12:59

すべて同じ読み方で、すべて真実である、私はお勧めします。

Érica Santos Sra.

Brazil

2023-03-22 12:27

到着。それらをテストしていません

Raffaella Esposito

Italy

2023-03-21 12:55

税関で立ち往生

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