新着商品

品質管理

フィードバック

STD9NM40N

Not For New Designs - MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK

生産者:

STMicroelectronics

MFRパート #

STD9NM40N

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

データシート:

STD9NM40N

説明:

MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK

STD9NM40N 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

生産者

STMicroelectronics

系列

MDmesh II

包装

Tape & Reel (TR)

製品ステータス

Not For New Designs

FETタイプ

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

400 V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

5.6A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

10V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

790mOhm @ 2.5A, 10V

Id印加時のVgs（th）（最大）

4V @ 250μA

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

14 nC @ 10 V

Vgs（最大）

?5V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

365 pF @ 50 V

FET機能

-

電力散逸（最大）

60W (Tc)

動作温度

150 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Surface Mount

サプライヤデバイスパッケージ

DPAK

パッケージ/ケース

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STD9NM40N 在庫: 15970

履歴価格

$1.75000

5.0 / 5.0

Emil Cieślak

Poland

2023-01-29 05:13

すべてOK、私のXbox One Xは動作します。%26lt;br%26gt;おすすめ

Mário Sérgio Santos

Brazil

2023-01-30 15:47

商品はしっかりと梱包され、完璧に到着しました

Olívia Lima

Brazil

2023-01-31 03:09

私はすでに1つをテストしましたが、それは完全に機能しました

Tom van Leeuwen

Netherlands

2023-01-31 08:48

優れたIRレシーバー。非常に低い消費電流(200uA @ 4V)を測定したので、スタンドアロンの入口検出に使用できます。IR感度は非常に高く、IR-LEDにもよりますが、最大20メートルだと思います。%26lt;br%26gt;レシーバーは連続IRを好みません。

Jairo Silva Almeida

Brazil

2023-01-30 23:12

すべてが正しく到着し、テストされ、承認されました....チアゴ・デ・マセイオ・アル

STD9NM40N

STD9NM40N 仕様

STD9NM40N 在庫: 15970

STD9NM40N 関連パーツ