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ホームページ  /  ディスクリート半導体製品  /  トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET  /  STMicroelectronics STD20NF06LT4

STD20NF06LT4

Active Icon Active - MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
STD20NF06LT4
STD20NF06LT4
STMicroelectronics
生産者:
MFRパート #
データシート:
説明:
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
 
3D Model Icon

STD20NF06LT4 仕様

商品属性
属性値
生産者
系列
STripFET II
包装
Tape & Reel (TR)
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
60 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
24A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
5V, 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
40mOhm @ 12A, 10V
Id印加時のVgs(th)(最大)
2.5V @ 250μA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
13 nC @ 10 V
Vgs(最大)
?8V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
660 pF @ 25 V
FET機能
-
電力散逸(最大)
60W (Tc)
動作温度
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
DPAK
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STD20NF06LT4 在庫: 32100

履歴価格
$1.56000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
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Nathaniel Parker
Location Icon United States
5 stars
2023-02-03 22:43
コンポーネントテスターは、10個のBD912トランジスタすべてが141〜157の範囲のhFEで問題ないことを確認しました。アメリカへの発送は非常に迅速でした。
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Sophia Turner
Location Icon United States
5 stars
2023-02-03 22:43
コンポーネントテスターは、10個のBD911トランジスタすべてが44〜47の範囲のhFEで問題ないことを確認しました。アメリカへの発送は非常に迅速でした。
Author Icon
Flávia Costa Neto
Location Icon Brazil
5 stars
2023-01-28 04:14
それは単純なビニール袋の代わりに適切なパッケージでより良いかもしれません..
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Laura Žilinskaitė
Location Icon Lithuania
5 stars
2023-02-02 07:18
良い売り手。ありがとうございます。
Author Icon
Patrícia Gomes
Location Icon Brazil
5 stars
2023-02-01 17:46
テストはしていませんでしたが、すべてうまくいきました..

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