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STD1HN60K3

Active - MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK

生産者:

STMicroelectronics

MFRパート #

STD1HN60K3

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

データシート:

STD1HN60K3

説明:

MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK

STD1HN60K3 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

生産者

STMicroelectronics

系列

SuperMESH3

包装

Tape & Reel (TR)

製品ステータス

Active

FETタイプ

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

600 V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

1.2A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

10V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

8Ohm @ 600mA, 10V

Id印加時のVgs（th）（最大）

4.5V @ 50μA

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

9.5 nC @ 10 V

Vgs（最大）

?0V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

140 pF @ 50 V

FET機能

-

電力散逸（最大）

27W (Tc)

動作温度

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Surface Mount

サプライヤデバイスパッケージ

DPAK

パッケージ/ケース

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STD1HN60K3 在庫: 44200

履歴価格

$0.98000

5.0 / 5.0

Cécile Morin

France

2023-03-17 23:55

まだ回路でテストされていません...

Peter Schneider

Germany

2023-03-09 03:13

10個のチップのいずれも正しく機能しませんでした。負荷をかけると、チップ内部の何かが衝突し、出力電圧が入力電圧に跳ね上がります。その後、チップはそれ以上調整されません。出力電圧=入力電圧。非常に品質が悪い!

Hugo Alberto

Spain

2023-03-20 04:01

説明の通り。esp32で購入しましたが、十分な電力が得られません。私はこの同じ店でht7833を注文しました、私はすでに待っていますか

Sara Madsen

Denmark

2023-03-17 01:37

すでにprzylutowalemのペアはOKです

Arminas Stankevičius

Lithuania

2023-03-18 06:50

すべてがうまくいっています。最大アンペア数はテストしていませんが、2アンペアを非常によく保持します。

STD1HN60K3

STD1HN60K3 仕様

STD1HN60K3 在庫: 44200

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