新着商品

品質管理

フィードバック

STD16N65M2

Active - MOSFET N-CH 650V 11A DPAK

生産者:

STMicroelectronics

MFRパート #

STD16N65M2

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

データシート:

STD16N65M2

説明:

MOSFET N-CH 650V 11A DPAK

STD16N65M2 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

生産者

STMicroelectronics

系列

MDmesh M2

包装

Tape & Reel (TR)

製品ステータス

Active

FETタイプ

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

650 V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

11A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

10V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

360mOhm @ 5.5A, 10V

Id印加時のVgs（th）（最大）

4V @ 250μA

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

19.5 nC @ 10 V

Vgs（最大）

?5V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

718 pF @ 100 V

FET機能

-

電力散逸（最大）

110W (Tc)

動作温度

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Surface Mount

サプライヤデバイスパッケージ

DPAK

パッケージ/ケース

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STD16N65M2 在庫: 18065

履歴価格

$2.51000

5.0 / 5.0

Tom van Leeuwen

Netherlands

2023-01-31 08:48

優れたIRレシーバー。非常に低い消費電流(200uA @ 4V)を測定したので、スタンドアロンの入口検出に使用できます。IR感度は非常に高く、IR-LEDにもよりますが、最大20メートルだと思います。%26lt;br%26gt;レシーバーは連続IRを好みません。

Jairo Silva Almeida

Brazil

2023-01-30 23:12

すべてが正しく到着し、テストされ、承認されました....チアゴ・デ・マセイオ・アル

Juliana Andrea

Spain

2022-09-07 01:19

すべてokPerfectありがとう売り手はただありがとうを試す必要があります

Alessio Rinaldi

Italy

2022-08-09 13:56

罪が辿り着いた、私は何も知らない!%26lt;br%26gt;それにもかかわらず、私は払い戻しを受けました。

Michelle Nguyen

United States

2023-01-31 15:11

パッケージは2週間で到着し、テストはOKです。

STD16N65M2

STD16N65M2 仕様

STD16N65M2 在庫: 18065

STD16N65M2 関連パーツ