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STD15N60M2-EP

Active - MOSFET N-CH 600V 11A DPAK

生産者:

STMicroelectronics

MFRパート #

STD15N60M2-EP

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

データシート:

STD15N60M2-EP

説明:

MOSFET N-CH 600V 11A DPAK

STD15N60M2-EP 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

生産者

STMicroelectronics

系列

MDmesh M2-EP

包装

Tape & Reel (TR)

製品ステータス

Active

FETタイプ

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

600 V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

11A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

10V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

378mOhm @ 5.5A, 10V

Id印加時のVgs（th）（最大）

4V @ 250μA

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

17 nC @ 10 V

Vgs（最大）

?5V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

590 pF @ 100 V

FET機能

-

電力散逸（最大）

110W (Tc)

動作温度

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Surface Mount

サプライヤデバイスパッケージ

DPAK

パッケージ/ケース

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STD15N60M2-EP 在庫: 11035

履歴価格

$1.92000

5.0 / 5.0

Annelies de Wit

Netherlands

2023-03-25 04:23

注文したとおりのすべて、品質はチェックしていませんが、外観と数量は説明の通りです。配達は速いです。ありがとうございます！(PS はい、私は女性です!混乱させないでください!

Éva Delaunay

France

2023-03-26 01:25

彼らは予想よりもはるかに早く到着しました。私がしなければならないのは、それらに乗ることだけです。

Jussara Costa Ferreira

Brazil

2023-03-24 07:14

素晴らしい製品。
すでにテスト済み

Laura Salmi

Finland

2023-03-24 03:47

単純に素晴らしいです!!ありがとうございます。

Ville Räsänen

Finland

2022-12-19 19:44

配達物が届きませんでした。

STD15N60M2-EP

STD15N60M2-EP 仕様

STD15N60M2-EP 在庫: 11035

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