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STD10NM60N

Active - MOSFET N-CH 600V 10A DPAK

STD10NM60N

STMicroelectronics

生産者:

STMicroelectronics

MFRパート #

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

データシート:

説明:

MOSFET N-CH 600V 10A DPAK

STD10NM60N 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

生産者

STMicroelectronics

系列

MDmesh II

包装

Tape & Reel (TR)

製品ステータス

Active

FETタイプ

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

600 V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

10A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

10V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

550mOhm @ 4A, 10V

Id印加時のVgs（th）（最大）

4V @ 250μA

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

19 nC @ 10 V

Vgs（最大）

?5V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

540 pF @ 50 V

FET機能

-

電力散逸（最大）

70W (Tc)

動作温度

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Surface Mount

サプライヤデバイスパッケージ

DPAK

パッケージ/ケース

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STD10NM60N 在庫: 48750

履歴価格

$2.86000

Certificates

5.0 / 5.0

Delphine Leroy

France

2023-02-10 21:09

クールなパッケージ。わかりました！

Annelies van der Veen

Netherlands

2023-02-10 00:45

まだテストできません

Octave Mercier

France

2023-02-10 06:39

スーパービアンメルシー

Célestine Dupont

France

2023-02-09 12:01

ありがとう、準拠したオブジェクト、短納期フォローアップOK、次の注文で見てください!!

Sandro Almeida

Brazil

2023-02-10 14:12

この材料はまだテストされていませんが、配送のスピードはすでに称賛に値します。

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