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ホームページ / ディスクリート半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET / STMicroelectronics STD10N60M2

STD10N60M2

Active - MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK

STD10N60M2

STMicroelectronics

生産者:

STMicroelectronics

MFRパート #

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

データシート:

説明:

MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK

STD10N60M2 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

生産者

STMicroelectronics

系列

MDmesh II Plus

包装

Tape & Reel (TR)

製品ステータス

Active

FETタイプ

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

600 V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

7.5A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

10V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

600mOhm @ 3A, 10V

Id印加時のVgs（th）（最大）

4V @ 250μA

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

13.5 nC @ 10 V

Vgs（最大）

?5V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

400 pF @ 100 V

FET機能

-

電力散逸（最大）

85W (Tc)

動作温度

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Surface Mount

サプライヤデバイスパッケージ

DPAK

パッケージ/ケース

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STD10N60M2 在庫: 33650

履歴価格

$1.66000

Certificates

5.0 / 5.0

Francesco De Luca

Italy

2023-03-18 12:46

説明されているようにすべてが大丈夫です

Johann Müller

Germany

2023-03-17 08:54

すべてが素晴らしく、非常に速い船積み、ありがとう

Eleonora Greco

Italy

2023-03-17 00:55

有効な構造強度の電子部品。電圧の精度はテストしていませんが、すべてが規則正しいと思います。売り手はすぐに発送しました。

Henrique

Brazil

2023-03-17 10:37

それがうまくいくことを願っています。

Juan Manuel

Spain

2023-03-18 16:42

すべてがうまくいき、彼らは非常に迅速に到着しました

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