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ホームページ / ディスクリート半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET / STMicroelectronics STD10N60DM2

STD10N60DM2

Active - MOSFET N-CH 650V 8A DPAK

STD10N60DM2

STMicroelectronics

生産者:

STMicroelectronics

MFRパート #

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

データシート:

説明:

MOSFET N-CH 650V 8A DPAK

STD10N60DM2 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

生産者

STMicroelectronics

系列

MDmesh DM2

包装

Tape & Reel (TR)

製品ステータス

Active

FETタイプ

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

650 V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

8A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

10V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

530mOhm @ 4A, 10V

Id印加時のVgs（th）（最大）

5V @ 250μA

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

15 nC @ 10 V

Vgs（最大）

?5V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

529 pF @ 100 V

FET機能

-

電力散逸（最大）

109W (Tc)

動作温度

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Surface Mount

サプライヤデバイスパッケージ

DPAK

パッケージ/ケース

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STD10N60DM2 在庫: 15755

履歴価格

$1.60000

Certificates

5.0 / 5.0

Gaston Guichard

France

2023-03-18 02:42

説明によると、私はまだ溶接していません

Wioletta Kowalska

Poland

2023-03-17 23:22

商品はOK、非常に速い船積み。

Sofia Vitória

Brazil

2023-03-18 04:17

電圧制限でテストおよび確認された材料、メーカーの定格を超えるテスト。

George Mitchell

United States

2023-03-17 13:18

すべての非常に優れた機能がうまく機能します

Nienke de Haan

Netherlands

2023-03-17 03:02

9日でオランダにお届けします!!素晴らしいサービス

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