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ホームページ / ディスクリート半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET / STMicroelectronics STB35N65DM2

STB35N65DM2

Active - MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK

STB35N65DM2

STMicroelectronics

生産者:

STMicroelectronics

MFRパート #

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

データシート:

説明:

MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK

STB35N65DM2 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

生産者

STMicroelectronics

系列

MDmesh M2

包装

Tape & Reel (TR)

製品ステータス

Active

FETタイプ

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

650 V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

28A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

10V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

110mOhm @ 14A, 10V

Id印加時のVgs（th）（最大）

5V @ 250μA

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

54 nC @ 10 V

Vgs（最大）

?5V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

2400 pF @ 100 V

FET機能

-

電力散逸（最大）

210W (Tc)

動作温度

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Surface Mount

サプライヤデバイスパッケージ

D2PAK

パッケージ/ケース

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STB35N65DM2 在庫: 36980

履歴価格

$6.96000

Certificates

5.0 / 5.0

Natasza Baran

Poland

2023-03-03 07:27

非常に良い品質

Zé Carlos Jr.

Brazil

2023-03-03 07:24

テストはしていませんが、良さそうですね

Flávia

Brazil

2023-03-02 12:22

すべてが宣伝どおりに到着しました。完全に機能しているかどうかはまだテストしていません。素晴らしい売り手。

Raphaël Faure

France

2023-03-03 00:54

私が期待していたことと一致しています..

Vanessa Gallo

Italy

2023-03-03 06:27

いつものように完璧

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