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PD20010S-E

Obsolete - TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

生産者:

STMicroelectronics

MFRパート #

PD20010S-E

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - RF FET、MOSFET

データシート:

PD20010S-E

説明:

TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

PD20010S-E 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - RF FET、MOSFET

生産者

STMicroelectronics

系列

-

包装

Tube

製品ステータス

Obsolete

技術

LDMOS

構成

2GHz

周波数

11dB

ゲイン

13.6 V

電圧 - テスト

5A

定格電流（A）

-

雑音指数

150 mA

電流 - テスト

10W

電源 - 出力

40 V

電圧 - 定格

-

取り付けタイプ

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)

パッケージ/ケース

PowerSO-10RF (Straight Lead)

サプライヤデバイスパッケージ

-

PD20010S-E 在庫: 14080

履歴価格

Obsolete

5.0 / 5.0

Blanche Gillet

France

2023-03-15 00:56

短納期で、商品はしっかりと梱包されており、注文に準拠しているように見えますが、まだテストされていません。感謝

Bruno César Filho

Brazil

2023-03-12 11:12

ICオリジナルで、大丈夫なのに怖くなく買えます。
私のテレビはすでに完璧に機能しています。

Gabriela Silva

Spain

2023-03-12 10:45

それは私が望んでいたものであり、数日で完璧に到着しました

Olivier Lefebvre

France

2023-03-12 10:49

短納期、準拠アイテムですが、ソーラーランプでの溶接が難しい

Fábio Gomes Nascimento

Brazil

2023-03-15 08:56

大丈夫、私はとても良い、優れた製品が好きでした、お勧めします

PD20010S-E

PD20010S-E 仕様

PD20010S-E 在庫: 14080

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